判斷掃描電鏡（SEM）樣品的導(dǎo)電性是否足夠，對(duì)于獲得清晰、無(wú)偽影的圖像至關(guān)重要。導(dǎo)電性不足的樣品容易導(dǎo)致電荷積累（charging effect），從而產(chǎn)生圖像漂移、模糊和亮斑等問(wèn)題。以下是常用的判斷方法與技巧：

1. 觀察圖像偽影（Charging Artifacts）

導(dǎo)電性不足的典型特征：

圖像漂移： 隨著電子束掃描，樣品上積累的電荷會(huì)使圖像緩慢移動(dòng)。

亮斑或暗斑： 在非導(dǎo)電區(qū)域，電子不能有效逸出，導(dǎo)致局部過(guò)曝或欠曝。

條紋或放射狀圖案： 電荷積累不均勻時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不規(guī)則條紋或輻射狀偽影。

邊緣效應(yīng)明顯： 非導(dǎo)電樣品在邊緣區(qū)域更容易積累電荷，出現(xiàn)高亮邊緣。

判斷依據(jù)：

如果調(diào)節(jié)加速電壓后偽影明顯減少，通常意味著導(dǎo)電性不足。

 2. 檢查電子束掃描響應(yīng)

方法：

快速掃描： 使用快速掃描模式（如 TV 掃描模式），觀察偽影變化。

導(dǎo)電性不足時(shí)： 圖像會(huì)有明顯漂移或亮暗變化。

導(dǎo)電性良好時(shí)： 圖像穩(wěn)定，細(xì)節(jié)清晰無(wú)漂移。

改變加速電壓：

低加速電壓（<5kV）： 對(duì)導(dǎo)電要求較低，偽影減少則說(shuō)明導(dǎo)電性不足。

高加速電壓（>15kV）： 偽影增強(qiáng)則可能是樣品過(guò)厚或?qū)щ姴痪鶆颉?/span>

3. 使用背散射電子成像（BSE）

原理：

BSE 對(duì)電荷積累不敏感，適合判斷導(dǎo)電性。

如果 二次電子（SE）圖像有偽影而 BSE 圖像正常，則可能是導(dǎo)電性不足。

判斷依據(jù)：

BSE 圖像清晰但 SE 圖像模糊： 導(dǎo)電性問(wèn)題。

兩者均模糊： 可能是樣品污染或厚度問(wèn)題。

4. 使用低真空或環(huán)境掃描模式（ESEM）

原理：

在低真空模式下，腔體中的氣體能中和積累的電荷。

如果低真空模式能改善圖像質(zhì)量，則意味著導(dǎo)電性不足。

判斷依據(jù)：

低真空無(wú)偽影，高真空有偽影： 樣品導(dǎo)電性不足。

 5. 測(cè)試樣品的電阻率

方法：

使用四探針?lè)ɑ蛉f(wàn)用表測(cè)量樣品表面電阻。低于 10? Ω/cm2： 通常認(rèn)為導(dǎo)電性足夠。

高于 10? Ω/cm2： 可能需要涂覆導(dǎo)電層。

 6. 觀察導(dǎo)電涂層效果（如果已涂覆）

方法：

對(duì)非導(dǎo)電樣品涂覆金、碳或鉑導(dǎo)電層，通常厚度為 5-20 nm。

如果涂覆后偽影消失或顯著減少，則說(shuō)明導(dǎo)電性不足。

注意：

導(dǎo)電層不宜過(guò)厚，避免掩蓋樣品細(xì)節(jié)。

7. 通過(guò)信號(hào)反應(yīng)時(shí)間判斷（如 EBSD 應(yīng)用）

原理：

導(dǎo)電性不足時(shí)，電子束會(huì)引起電荷積累，導(dǎo)致 EBSD 花樣難以穩(wěn)定。

觀察 EBSD 花樣刷新速度與穩(wěn)定性 可間接判斷導(dǎo)電性。

以上就是澤攸科技小編分享的如何判斷掃描電鏡樣品的導(dǎo)電性是否足夠。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價(jià)格請(qǐng)咨詢